在绍兴越城区兴建光刻机工厂，或将为国产芯片行业带来新的变局。这些年美国联合荷兰对我国芯片围追堵截，却未曾想我国企业自我完善，从内部实现了突破。

　　不过也有质疑声认为：50亿投资在芯片领域只是杯水车薪，更遑论建造光刻机厂，估计这次投资又是雷声大雨点小。那么本次光刻机厂的投建究竟意味着什么？国产芯片技术近些年又发展如何？

　　该光刻机厂项目计划分为两期实施，第一期总投资5亿元，占地35亩，用于转移扩大图双精密公司在上海的产能，二期投资45亿元。项目完工投用后，预计年产㊣50~100台半导体设备。一期工程计划在今年底启动，明年中期完成投入试生产，2026年前全面完工投用。项目目标是大规模制备28nm，尽管较于世界先进3nm水平尚存有一㊣定差距，但这对于国产半✅导体工业而言已经是巨大进步。

　　当图双董事长被问到为何会选址在越城区时，他回答道：基于公司㊣业绩的连年增长，我们计划在长三角地区兴建起一座大型生产基地。经过多次拜访对㊣接，公司被越城区的招商政策所打㊣动，且产业聚集性高，营商环境优越，十分适合公司长远目标发展。

　　经过调查发现，越城区现已聚集上百家集✅成电路以及相关企业，已经初步✅形成了以现今封装工艺为核心的产业链，拥有高达500亿元的产值规模，是全浙江省集成电路领域的第一梯队。

　　而上海图双作为国内先进半导体设备公司，现有技术能力已经覆盖了阿斯麦、尼康和佳能的6寸、8寸、12寸光刻机，可以按照不同芯片特性和工艺进行定制化服务。

　　同时上海图双表示，他们将积极研究光刻机设备的现有相关技术，对各类材料进行多次反复试验，制定合理的工㊣业生产计划，确保✅新公司在投产后，能在即短期内便满足国内对新型设备的增长内需。

　　综合来看，本项目是一个产学研三结合的创新平✅台。浙江省目前已经与多所高校与科研机构签署了合作协议，双方将在项目中建设实验室和研究基地，这对中国半导体的突破发展有重大意义。并且工程完成后，起码能为半导体工业增加5000个以上的工作机会，提供20000个间接工作岗位。

　　今年7月，国务院印发了《关于加快半导体产业高质量发展的指导意见》，明确要求2030年我国必须完成高端光刻机的自主可控。那么截至今天，我国的光刻机技术又发展如何呢？

　　光刻机又被称为曝光系统、掩模对准曝光机，是制造芯片的核心设备。我们可以将其简易理解为投影仪或者照相机，光刻就是把片制作的线路与功能区分做出来，将集成电路图形精准无误的刻印在硅片上。而整道光刻工序要经历硅片清洗烘干、涂底和光刻胶、软烘、曝光、后烘等等。

　　光刻机是现代顶尖技术高度集合的产物，其技术领域涵盖物理、光学、材料学、精密机械等，任何一项技术都要求处于国际领先水准。目前全球只有日本、荷兰、美国、中国才有能力制造光刻机，且工㊣艺制程良莠不齐。

　　根据CINNO Research2022年数据显示，全球五大半导体设备商依次为：美国NASDAQ:AMAT、荷兰阿斯麦、日本东京电子、美国泛林、美国科磊。五家厂商实现了晶圆制造关键设备的全覆盖，总占比超过7成。

　　即便是业内龙头阿斯麦，本质上也只是流水线组装厂，其光学系统依靠德国蔡司，自动化精密器件来自美国，光学器件由日本提供，中国台湾则负责供应光罩、线缆等等，任何一个供应链出现问✅题，整个光刻机制造环节✅都会陷入瘫痪。

　　中国的芯片设备长期严重依赖海外，自主率偏低。2024年第二季度的阿斯麦财务报告数据显示，公司订单量为56亿欧元，同比增长24%，其中中国区收入高达23亿欧元，占比总收入的49%，是阿斯麦全球市场的最大收入来源。

　　庞大的采购量背后，源于国内不断扩张的芯片产能。2023年底，我国大陆地区的芯片产能份额占比19.1%，今年前五个月的产能更是增长至近1/3,半导体工程。根据海关提供数据，今年上半年中国集成电路的出口规模将攀升至5427亿，同比增长25%雷达 工作原理，全年芯片出口预计突破1万亿。国际半导体产业协会预测，中国将在2026年成为全球最大芯片生产国。

　　令㊣人遗憾的是，中国所生产的所有芯片都属于成熟制程，目前我国公开的国产光刻机应该处于90nm工艺水平，但据传阿斯麦的EUV光刻机已经能实现2NM的先进工艺制程，并进行大规模量产。

　　国产光刻机水准不达标，于是我们只能大规模囤积来自阿斯麦的DUV光刻㊣机。而这也从侧面证实了，此前国内屡次爆出的“7nm量产在即、5nm即将突破”等诸如此类的各式新闻，实则也都是不折不扣的自嗨罢了。真实情况是我们只能依靠大量进口来暂渡难关。

　　截止去年底，我国光刻机的主要供应商分别有比亚迪、微电㊣子集团、中微半导体。其中比亚迪是我国最大的光刻机供应商之一，产品的精度和稳定性已经居于世界前㊣列，但目前国内依然存在以下难题：对进口零部件依赖度较高、研发力量薄弱、高端市场需求无法满足、产品技术水平落后等等。

　　从好的方面看，上海微电子集团已经研发投产了28nm制程光刻机，未来有希望将芯片制程提升至22~14nm。中微也研发了3nm的刻蚀机，打造出国产首台㊣自EUV极紫外刻蚀设备。

　　南大光电规模化生产了ArF、KrF等光刻胶产品，哈工大联合清华团队研制出了EUV曝光系统原型机，并在上海、长春的科研单位协助下进✅行了13.5nm的光源以及镜头部件的研究。

　　从现有的世界半导体格局来看，我们距离世界顶尖的芯片设计技术差距并不明显，只是在光刻机这种基础学科的设备落后太多。这源自于过去某个阶段，我国科学家们集体被“造不如买”的错误思维所误导，要知道七十年代时期，我国首台自研的高端光刻机还曾奔赴法国参展。

　　中微董事长此前曾在公开场合表示：“中国半导体设备虽然距离国际顶尖水准上有一定差距，但在未来5~10年间是完全有机会追平美西方的。”结合国家在今年7月份发布的政策意见，中国半导体日后可谓是大有所为，让我们敬请期待国产半导体弯道超车、后来居上的一天早日到来。

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